近年來(lái)，因為(wèi)傳統的晶體(tǐ)管微縮方法走向了(le)末路(lù)，于是産業便轉向封裝尋求提升芯片性能(néng)的新(xīn)方法。例如(rú)近日的行業熱點新(xīn)聞《打破Chiplet的最後一(yī)道屏障，全新(xīn)互聯标準UCIe宣告成立》，可以說(shuō)把Chiplet和先進封裝的熱度推向了(le)又一(yī)個(gè)新(xīn)高峰？
那麽為(wèi)什(shén)麽我們需要先進封裝呢(ne)？且看Yole解讀一(yī)下(xià)。
為(wèi)什(shén)麽我們需要高性能(néng)封裝？
随着前端節點越來(lái)越小，設計成本變得越來(lái)越重要。高級封裝 (AP) 解決方案通過降低(dī)成本、提高系統性能(néng)、降低(dī)延遲、增加帶寬和電源效率來(lái)幫助解決這(zhè)些(xiē)問題。高端性能(néng)封裝平台是 UHD FO、嵌入式 Si 橋、Si 中介層、3D 堆棧存儲器(qì)和 3DSoC。嵌入式矽橋有兩種解決方案：台積電的 LSI 和英特爾的 EMIB。對于Si interposer，通常有台積電、三星和聯電提供的經典版本，以及英特爾的Foveros。EMIB 與 Foveros 結合産生(shēng)了(le) Co-EMIB，用于 Intel 的 Ponte Vecchio。同時(shí)，3D 堆棧存儲器(qì)由 HBM、3DS 和 3D NAND 堆棧三個(gè)類别表示。數據中心網絡、高性能(néng)計算(suàn)和自動駕駛汽車正在推動高端性能(néng)封裝的采用，以及從技術角度來(lái)看的演變。今天的趨勢是在雲、邊緣計算(suàn)和設備級别擁有更大的計算(suàn)資源。因此，不斷增長的需求正在推動高端高性能(néng)封裝的采用。
高性能(néng)封裝市(shì)場(chǎng)規模？據Yole預測，到 2027 年，高性能(néng)封裝市(shì)場(chǎng)收入預計将達到78.7億美元，高于 2021 年的27.4億美元，2021-2027 年的複合年增長率為(wèi) 19%。到 2027 年，UHD FO、HBM、3DS 和有源 Si 中介層将占總市(shì)場(chǎng)份額的 50% 以上(shàng)，是市(shì)場(chǎng)增長的最大貢獻者。嵌入式 Si 橋、3D NAND 堆棧、3D SoC 和 HBM 是增長最快(kuài)的四大貢獻者，每個(gè)貢獻者的 CAGR 都大于 20%。由于電信和基礎設施以及移動和消費終端市(shì)場(chǎng)中高端性能(néng)應用程序和人(rén)工智能(néng)的快(kuài)速增長，這(zhè)種演變是可能(néng)的。高端性能(néng)封裝代表了(le)一(yī)個(gè)相對較小的業務(wù)，但(dàn)對半導體(tǐ)行業産生(shēng)了(le)巨大的影響，因為(wèi)它是幫助滿足比摩爾要求的關(guān)鍵解決方案之一(yī)。
誰是赢家，誰是輸家？2021 年，頂級參與者為(wèi)一(yī)攬子(zǐ)活動進行了(le)大約116億美元的資本支出投資，因為(wèi)他們意識到這(zhè)對于對抗摩爾定律放(fàng)緩的重要性。英特爾是這(zhè)個(gè)行業的最大的投資者，指出了(le)35億美元。它的 3D 芯片堆疊技術是 Foveros，它包括在有源矽中介層上(shàng)堆疊芯片。嵌入式多芯片互連橋是其采用 55 微米凸塊間(jiān)距的 2.5D 封裝解決方案。Foveros 和 EMIB 的結合誕生(shēng)了(le) Co-EMIB，用于 Ponte Vecchio GPU。英特爾計劃為(wèi) Foveros Direct 采用混合鍵合技術。台積電緊随其後的是 30.5億美元的資本支出。在通過 InFO 解決方案為(wèi) UHD FO 争取更多業務(wù)的同時(shí)，台積電還在為(wèi) 3D SoC 定義新(xīn)的系統級路(lù)線圖和技術。其 CoWoS 平台提供 RDL 或矽中介層解決方案，而其 LSI 平台是 EMIB 的直接競争對手。台積電已成為(wèi)高端封裝巨頭，擁有領先的前端先進節點，可以主導下(xià)一(yī)代系統級封裝。
